筆記本內(nèi)存條知識(shí)

時(shí)間：2023-12-13 08:49:10 筆記我要投稿

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筆記本內(nèi)存條知識(shí)

筆記本內(nèi)存條知識(shí)1

　　目前主流的筆記本內(nèi)存規(guī)格

筆記本內(nèi)存條知識(shí)

　　目前市場(chǎng)是比較常見的內(nèi)存條的一般都是DDR2和DDR3這兩種。一般都是512MB、1G、2G的。DDR3是目前最主流的。但是也是最貴的筆記本內(nèi)存條。

　　筆記本內(nèi)存條中間有一個(gè)小卡口，而且不在正中間，這樣能避免插反。我做了個(gè)筆記本內(nèi)存插法的圖片。

　　筆記本內(nèi)存的安裝方法圖

　　筆記本內(nèi)存安裝方法

　　筆記本內(nèi)存條安裝方法

　　這就是疊起來(lái)插兩根內(nèi)存條的筆記本內(nèi)存插槽。

　　筆記本內(nèi)存概況

　　由于筆記本電腦整合性高，設(shè)計(jì)精密，對(duì)于內(nèi)存的要求比較高，筆記本內(nèi)存必須符合小巧的特點(diǎn)，需采用優(yōu)質(zhì)的元件和先進(jìn)的工藝，擁有體積小、容量大、速度快、耗電低、散熱好等特性。出于追求體積小巧的考慮，大部分筆記本電腦最多只有兩個(gè)內(nèi)存插槽。由于筆記本的`內(nèi)存擴(kuò)展槽很有限，因此單位容量大一些的內(nèi)存會(huì)顯得比較重要。而且這樣做還有一點(diǎn)好處，就是單位容量大的內(nèi)存在保證相同容量的時(shí)候，會(huì)有更小的發(fā)熱量，這對(duì)筆記本的穩(wěn)定也是大有好處的。

　　現(xiàn)代DDR2 667 2G筆記本內(nèi)存

　　這個(gè)667的意思是內(nèi)存的工作頻率，越高越好，目前最高的是1333MHz

　　DDR2和DDR3筆記本內(nèi)存

　　DDR2和DDR3：大家知道SDRAM內(nèi)存?zhèn)鬏敂?shù)據(jù)時(shí)一次只能傳輸1 bit的數(shù)據(jù)，在SDRAM內(nèi)存上發(fā)展起來(lái)的DDR ,DDR2,DDR3，一次分別能傳輸2 bit ，4 bit，8 bit的數(shù)據(jù)。DDR 2的工作頻率從667MHZ到1066MHZ不等，工作電壓為 1.8V；DDR3 工作頻率從1066MHz到1666MHZ，工作電壓為1.5V。因此，從DDR2到DDR3，性能更好，功耗更低。

筆記本內(nèi)存條知識(shí)2

　　電腦內(nèi)存條購(gòu)買注意事項(xiàng)

　　1. 盡量和你原來(lái)的筆記本要同品牌（建議）。

　　2. 容量可以不同，頻率最好相同

　　3. 如果是游戲發(fā)燒友的話，不但以上參數(shù)要匹配，最好連內(nèi)存條生產(chǎn)周都要相同，這樣最穩(wěn)定.

　　4.只要弄清楚你筆記本是DDR400 DDR2 800 DDR3 1333哪種類型的內(nèi)存就好了。插槽不用去管。

　　5.首先看你的主板最大支持多大的內(nèi)存，然后買同代、同頻率的即可，品牌可以不同，因?yàn)槎际峭ㄓ玫男袠I(yè)標(biāo)準(zhǔn)

　　6.要注意同代同頻率，一般就這兩個(gè)7.

　　7.下載一個(gè)魯大師之類的，硬件檢測(cè)就可以看出來(lái)，DDR2 是內(nèi)存類型，后面的數(shù)字是工作頻率！百度搜索了下，你的'本本最多支持2G內(nèi)存，根據(jù)你的本本型號(hào)，2代內(nèi)存，極有可能是667MHZ的，你可以買800MHZ的，內(nèi)存可以降頻使用，方便以后升級(jí)！當(dāng)然你買667的也沒(méi)有問(wèn)題！

筆記本內(nèi)存條知識(shí)3

　　1.品牌

　　筆記本的內(nèi)存分品牌、DDR代數(shù)、規(guī)格、大小以及顯存顆粒的品牌。品牌大家應(yīng)該都了解，任何產(chǎn)品都有生產(chǎn)商。筆記本用內(nèi)存品牌比較有名的比如金士頓、三星、南亞以及海力士之類的，這些品牌的內(nèi)存條在筆記本上面用的非常的廣泛。

　　2.DDR代數(shù)

　　其次是DDR代數(shù)，進(jìn)過(guò)多年的技術(shù)改革，內(nèi)存條已經(jīng)開始廣泛使用第三代內(nèi)存了。而在使用的筆記本中其實(shí)還是以二代內(nèi)存居多，一代顯得有點(diǎn)少了。大小就不用疑問(wèn)了，基本上現(xiàn)在最小的都是2GB了，標(biāo)準(zhǔn)4GB內(nèi)存，筆記本的內(nèi)存條最大的容量已經(jīng)達(dá)到16GB，當(dāng)然這是能夠在市場(chǎng)上面見得到的，至于更高級(jí)的我們可能見不到。

　　3.顯存顆粒

　　顯存顆粒，就是內(nèi)存條板材上面的黑色小芯片，內(nèi)存好不好，內(nèi)存顆粒就有著很大的決定性。有可能你買的是金士頓的內(nèi)存條，但是上面確實(shí)海力士的顯存顆粒，這種內(nèi)存條在我們看來(lái)就不是特別好，要品牌與內(nèi)存顆粒是一樣的.，質(zhì)量會(huì)更好。

　　以上說(shuō)的是關(guān)于筆記本內(nèi)存條方面的知識(shí)，我們來(lái)說(shuō)如果新加的內(nèi)存條與本機(jī)不兼容，會(huì)有什么情況出現(xiàn)。內(nèi)存條加好了，電腦就能夠運(yùn)行的更暢快，如果你添加的內(nèi)存條與電腦不兼容，直接一點(diǎn)的就是電腦一開機(jī)就會(huì)藍(lán)屏，如果不把新加的條子拿下來(lái)就什么都解決不了。情況好一點(diǎn)的就是電腦越來(lái)越卡了，還沒(méi)有以往的速度，最好不過(guò)的就是與以往的速度沒(méi)有什么區(qū)別。這就是浪費(fèi)資源了。

　　內(nèi)存條的添加其實(shí)很簡(jiǎn)單，你要知道自己筆記本里面是使用的什么內(nèi)存條，比如三星DDR2 800 1G的內(nèi)存條，那么你如果要加1G的話，也要完全按照這個(gè)規(guī)格來(lái)，不能去搞個(gè)DDR2 667 1G的，這就有點(diǎn)沖突了�；蛘吒苯右稽c(diǎn)的就是拋棄原先的條子，直接上一根其他品牌的4G或者8GB內(nèi)存（筆記本要最大支持為前提），這樣也會(huì)有很好的效果。

筆記本內(nèi)存條知識(shí)4

　　ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。

　　ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。

　　RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（StaticRAM/SRAM），SRAM速度非�？欤悄壳白x寫最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級(jí)緩沖，二級(jí)緩沖。另一種稱為動(dòng)態(tài)RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比SRAM慢，不過(guò)它還是比任何的ROM都要快，但從價(jià)格上來(lái)說(shuō)DRAM相比SRAM要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。 DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、 EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這里介紹其中的一種DDR RAM。

　　DDR RAM（Date-Rate RAM）也稱作DDR SDRAM，這種改進(jìn)型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存，而且它有著成本優(yōu)勢(shì)，事實(shí)上擊敗了Intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)－Rambus DRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來(lái)提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

　　內(nèi)存工作原理：

　　內(nèi)存是用來(lái)存放當(dāng)前正在使用的（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序，我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動(dòng)態(tài)內(nèi)存（即DRAM），動(dòng)態(tài)內(nèi)存中所謂的"動(dòng)態(tài)"，指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫入 DRAM后，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間，數(shù)據(jù)會(huì)丟失，因此需要一個(gè)額外設(shè)電路進(jìn)行內(nèi)存刷新操作。具體的工作過(guò)程是這樣的：一個(gè)DRAM的存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無(wú)電荷代表0。但時(shí)間一長(zhǎng)，代表1的電容會(huì)放電，代表0的電容會(huì)吸收電荷，這就是數(shù)據(jù)丟失的原因；刷新操作定期對(duì)電容進(jìn)行檢查，若電量大于滿電量的1／2，則認(rèn)為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于1／2，則認(rèn)為其代表0，并把電容放電，藉此來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。

　　ROM

　　也有很多種，PROM是可編程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可編程ROM）兩者區(qū)別是，PROM是一次性的，也就是軟件灌入后，就無(wú)法修改了，這種是早期的產(chǎn)品，現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了，而EPROM是通過(guò)紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲(chǔ)器。另外一種EEPROM是通過(guò)電子擦出，價(jià)格很高，寫入時(shí)間很長(zhǎng)，寫入很慢。

　　舉個(gè)例子，手機(jī)軟件一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最后撥打的號(hào)碼，暫時(shí)是存在SRAM中的，不是馬上寫入通過(guò)記錄（通話記錄保存在EEPROM中），因?yàn)楫?dāng)時(shí)有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長(zhǎng)的等待是讓用戶忍無(wú)可忍的。

　　DRAM

　　利用MOS管的柵電容上的電荷來(lái)存儲(chǔ)信息，一旦掉電信息會(huì)全部的丟失，由于柵極會(huì)漏電，所以每隔一定的時(shí)間就需要一個(gè)刷新機(jī)構(gòu)給這些柵電容補(bǔ)充電荷，并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補(bǔ)充電荷，這個(gè)就叫動(dòng)態(tài)刷新，所以稱其為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。由于它只使用一個(gè)MOS管來(lái)存信息，所以集成度可以很高，容量能夠做的很大。SDRAM比它多了一個(gè)與CPU時(shí)鐘同步。

　　SRAM

　　利用寄存器來(lái)存儲(chǔ)信息，所以一旦掉電，資料就會(huì)全部丟失，只要供電，它的資料就會(huì)一直存在，不需要?jiǎng)討B(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。

　　以上主要用于系統(tǒng)內(nèi)存儲(chǔ)器，容量大，不需要斷電后仍保存數(shù)據(jù)的。

　　PSRAM

　　PSRAM ，假靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。具有一個(gè)單晶體管的DRAM儲(chǔ)存格，與傳統(tǒng)具有六個(gè)晶體管的SRAM儲(chǔ)存格或是四個(gè)晶體管與two-load resistor SRAM儲(chǔ)存格大不相同，但它具有類似SRAM的穩(wěn)定接口，內(nèi)部的DRAM架構(gòu)給予PSRAM一些比low-power 6TSRAM優(yōu)異的長(zhǎng)處，例如體積更為輕巧，售價(jià)更具競(jìng)爭(zhēng)力。目前在整體SRAM市場(chǎng)中，有90%的制造商都在生產(chǎn)PSRAM組件。在過(guò)去兩年，市場(chǎng)上重要的SRAM/PSRAM供貨商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron與Toshiba等。

　　基本原理：PSRAM就是偽SRAM，內(nèi)部的內(nèi)存顆粒跟SDRAM的顆粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那樣復(fù)雜的控制器和刷新機(jī)制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一樣的。

　　PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量沒(méi)有SDRAM那樣密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突發(fā)模式，并不是很慢，Hynix，Coremagic, WINBOND .MICRON. CY等廠家都有供應(yīng)，價(jià)格只比相同容量的SDRAM稍貴一點(diǎn)點(diǎn)，比SRAM便宜很多。

　　PSRAM主要應(yīng)用于手機(jī)，電子詞典，掌上電腦，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消費(fèi)電子產(chǎn)品與SRAM(采用6T的技術(shù))相比,PSRAM采用的是1T+1C的技術(shù),所以在體積上更小,同時(shí),PSRAM的I/O接口與SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比較于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以對(duì)于要求有一定緩存容量的很多便攜式產(chǎn)品是一個(gè)理想的選擇。

　　FLASH

　　存儲(chǔ)器又稱閃存，它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢(shì)），U盤和MP3里用的就是這種存儲(chǔ)器。在過(guò)去的.20年里，嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備，然而近年來(lái)Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統(tǒng)中的地位，用作存儲(chǔ)Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用（U盤）。

　　Flash ROM

　　是利用浮置柵上的電容存儲(chǔ)電荷來(lái)保存信息，因?yàn)楦≈脰挪粫?huì)漏電，所以斷電后信息仍然可以保存。也由于其機(jī)構(gòu)簡(jiǎn)單所以集成度可以做的很高，容量可以很大。Flash rom寫入前需要用電進(jìn)行擦除，而且擦除不同與EEPROM可以以byte(字節(jié))為單位進(jìn)行，flash rom只能以sector(扇區(qū))為單位進(jìn)行。不過(guò)其寫入時(shí)可以byte為單位。flash rom主要用于bios，U盤，Mp3等需要大容量且斷電不丟數(shù)據(jù)的設(shè)備。目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。

　　NAND Flash沒(méi)有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來(lái)進(jìn)行的，通常是一次讀取512個(gè)字節(jié)，采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià)。用戶不能直接運(yùn)行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開發(fā)板除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來(lái)運(yùn)行啟動(dòng)代碼。一般小容量的用NOR Flash，因?yàn)槠渥x取速度快，多用來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常見的NAND FLASH應(yīng)用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC（Disk On Chip）和我們通常用的"閃盤"，可以在線擦除。目前市面上的FLASH 主要來(lái)自Intel，AMD，F(xiàn)ujitsu和Toshiba，而生產(chǎn)NAND Flash的主要廠家有Samsung和Toshiba。

　　NAND Flash和NOR Flash的比較

　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989 年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。象"flash存儲(chǔ)器"經(jīng)�？梢耘c相"NOR存儲(chǔ)器"互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對(duì)于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是用來(lái)存儲(chǔ)少量的代碼，這時(shí)NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。

　　NOR是現(xiàn)在市場(chǎng)上主要的非易失閃存技術(shù)。NOR一般只用來(lái)存儲(chǔ)少量的代碼；NOR主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中。NOR的特點(diǎn)是應(yīng)用簡(jiǎn)單、無(wú)需專門的接口電路、傳輸效率高，它是屬于芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP, eXecute In Place)，這樣應(yīng)用程序可以直接在（NOR型）flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來(lái)尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分。

　　NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。

　　1、性能比較:

　　flash閃存是非易失存儲(chǔ)器，可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為1。

　　由于擦除NOR器件時(shí)是以64～128KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統(tǒng)計(jì)表明，對(duì)于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時(shí))，更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣，當(dāng)選擇存儲(chǔ)解決方案時(shí)，設(shè)計(jì)師必須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素：

　　● NOR的讀速度比NAND稍快一些。

　　● NAND的寫入速度比NOR快很多。

　　● NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。

　　● 大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。

　　● NAND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少。

　　(注：NOR FLASH SECTOR擦除時(shí)間視品牌、大小不同而不同，比如，4M FLASH，有的SECTOR擦除時(shí)間為60ms，而有的需要最大6s。)

　　2、接口差別:

　　NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來(lái)尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。

　　NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來(lái)串行地存取數(shù)據(jù)，各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。NAND讀和寫操作采用512字節(jié)的塊，這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理此類操作，很自然地，基于NAND的存儲(chǔ)器就可以取代硬盤或其他塊設(shè)備。

　　3、容量和成本:

　　NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。

　　NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當(dāng)中，這也說(shuō)明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，NAND適合于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲(chǔ)卡市場(chǎng)上所占份額最大。

　　4、可靠性和耐用性:

　　采用flahs介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題是可靠性。對(duì)于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，F(xiàn)lash是非常合適的存儲(chǔ)方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較NOR和NAND的可靠性。

　　A) 壽命(耐用性)

　　在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬(wàn)次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì)，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。

　　B) 位交換

　　所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多)，一個(gè)比特(bit)位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了。一位的變化可能不很明顯，但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上，這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。

　　如果只是報(bào)告有問(wèn)題，多讀幾次就可能解決了。當(dāng)然，如果這個(gè)位真的改變了，就必須采用錯(cuò)誤探測(cè)/錯(cuò)誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問(wèn)題更多見于NAND閃存，NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時(shí)候，同時(shí)使用EDC/ECC算法。這個(gè)問(wèn)題對(duì)于用NAND存儲(chǔ)多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然，如果用本地存儲(chǔ)設(shè)備來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時(shí)，必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確�？煽啃�。

　　C) 壞塊處理

　　NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過(guò)消除壞塊的努力，但發(fā)現(xiàn)成品率太低，代價(jià)太高，根本不劃算。NAND器件需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中，如果通過(guò)可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理，將導(dǎo)致高故障率。

　　5、易于使用:

　　可以非常直接地使用基于NOR的閃存，可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接，并可以在上面直接運(yùn)行代碼。

　　由于需要I/O接口，NAND要復(fù)雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。

　　在使用NAND器件時(shí)，必須先寫入驅(qū)動(dòng)程序，才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當(dāng)?shù)募记�，因�(yàn)樵O(shè)計(jì)師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。

　　6、軟件支持:

　　當(dāng)討論軟件支持的時(shí)候，應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高一級(jí)的用于磁盤仿真和閃存管理算法的軟件,包括性能優(yōu)化。在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持，在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時(shí)，通常需要驅(qū)動(dòng)程序，也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序(MTD)，NAND和NOR器件在進(jìn)行寫入和擦除操作時(shí)都需要MTD。使用NOR器件時(shí)所需要的MTD要相對(duì)少一些，許多廠商都提供用于NOR器件的更高級(jí)軟件，這其中包括M-System的TrueFFS驅(qū)動(dòng)，該驅(qū)動(dòng)被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所采用。驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理，包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。

　　NOR FLASH的主要供應(yīng)商是INTEL ,MICRO等廠商，曾經(jīng)是FLASH的主流產(chǎn)品，但現(xiàn)在被NAND FLASH擠的比較難受。它的優(yōu)點(diǎn)是可以直接從FLASH中運(yùn)行程序，但是工藝復(fù)雜，價(jià)格比較貴。

　　NAND FLASH的主要供應(yīng)商是SAMSUNG和東芝，在U盤、各種存儲(chǔ)卡、MP3播放器里面的都是這種FLASH，由于工藝上的不同，它比NOR FLASH擁有更大存儲(chǔ)容量，而且便宜。但也有缺點(diǎn)，就是無(wú)法尋址直接運(yùn)行程序，只能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。另外NAND FLASH非常容易出現(xiàn)壞區(qū)，所以需要有校驗(yàn)的算法。

　　在掌上電腦里要使用NAND FLASH 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序，但是必須有NOR FLASH來(lái)啟動(dòng)。除了SAMSUNG處理器，其他用在掌上電腦的主流處理器還不支持直接由NAND FLASH 啟動(dòng)程序。因此，必須先用一片小的NOR FLASH 啟動(dòng)機(jī)器，在把OS等軟件從NAND FLASH 載入SDRAM中運(yùn)行才行，挺麻煩的。

筆記本內(nèi)存條知識(shí)5

　　筆記本電腦內(nèi)存故障較少，尤其是原裝內(nèi)存。如果內(nèi)存出現(xiàn)問(wèn)題，系統(tǒng)將無(wú)法啟動(dòng)。根據(jù)使用的BIOS的不同，有不同的報(bào)警聲，多數(shù)為連續(xù)不斷的長(zhǎng)嘀聲，或者是連續(xù)不斷的短嘀聲。

　　解決的方法是打開內(nèi)存槽的蓋板更換內(nèi)存，通常不用購(gòu)買原裝內(nèi)存(價(jià)格昂貴)。注意筆記本電腦使用的內(nèi)存與臺(tái)式機(jī)不同，長(zhǎng)度只有臺(tái)式機(jī)內(nèi)存的一半。

　　1．內(nèi)存不規(guī)范：目前大多數(shù)筆記本電腦使用的是PC100或者PC133規(guī)格的內(nèi)存；這些內(nèi)存都應(yīng)該有一個(gè)SPD芯片來(lái)存儲(chǔ)內(nèi)存的基本參數(shù)和規(guī)格，以提供BIOS識(shí)別和系統(tǒng)調(diào)用，但是一些雜牌的內(nèi)存是沒(méi)有SPD芯片或者是只用一塊針腳相同的空芯片來(lái)冒充SPD芯片。這樣的內(nèi)存能用便是僥幸，穩(wěn)定性毫無(wú)保障，對(duì)于沒(méi)有SPD芯片的內(nèi)存，不管價(jià)格多么便宜都建議你不要購(gòu)買。此外，有些較老的機(jī)器使用的是144針的.EDO內(nèi)存，這種內(nèi)存和SDRAM 的封裝完全相同，外觀也看不出來(lái)，最高容量為128M，不過(guò)其工作電壓為5V而不是SDRAM的3.3V，如果誤插了SDRAM就很可能被燒毀。

　　2．內(nèi)存的形狀問(wèn)題：主要是指內(nèi)存的高度和厚度問(wèn)題，因?yàn)椴捎脝蚊娣庋b因此比較薄，當(dāng)年的一些筆記本電腦沒(méi)有在內(nèi)存插槽中預(yù)留足夠的空間，結(jié)果就是現(xiàn)在的大容量高板雙面內(nèi)存安裝不下。

　　3．內(nèi)存的兼容性問(wèn)題：這個(gè)問(wèn)題對(duì)于Compaq和IBM的超輕薄機(jī)器尤為常見，即使是KingSton；KingMax這樣的內(nèi)存大牌子也可能出現(xiàn)問(wèn)題，因此最好不要不試機(jī)就盲目的買，插上內(nèi)存條認(rèn)到正確的容量是基本的要求，如果是機(jī)器都開不了的黑屏或者嘀嘀的報(bào)錯(cuò)那就根本不用考慮，然后將機(jī)器置于待機(jī)狀態(tài)，看看能否正常的喚醒。最好是可以用一些內(nèi)存測(cè)試軟件（推薦DocMem）跑一下看看穩(wěn)定性如何。

　　4．耗電量和發(fā)熱問(wèn)題：許多用戶在升級(jí)內(nèi)存后發(fā)現(xiàn)自己的電池壽命縮短了，而且整機(jī)的發(fā)熱加大，這主要是新加入的內(nèi)存在工作的時(shí)候發(fā)熱所至，通常兩條內(nèi)存的機(jī)器比一條內(nèi)存的機(jī)器熱一些（兩個(gè)發(fā)熱源），而且內(nèi)存工作的時(shí)候是需要耗電的，耗電量加大也是正常。

　　5．最大內(nèi)存支持的問(wèn)題：目前市面上所銷售的筆記本電腦內(nèi)存從單條64M到單條256M（SDRAM）都有。有時(shí)我們會(huì)遇到單條256M只認(rèn)成128M的情況，這就是最大內(nèi)存支持的問(wèn)題，這個(gè)問(wèn)題和主板的芯片組及筆記本電腦的BIOS都有關(guān)系，至于廠商的BIOS也對(duì)最大內(nèi)存總量有影響，如果廠商在BIOS中限制了最大的內(nèi)存量，則無(wú)論如何都不可能超過(guò)這個(gè)設(shè)置。

　　6．關(guān)于專用內(nèi)存：專用內(nèi)存通常用于超輕薄的小機(jī)器，是廠商為了減小機(jī)器的體積而設(shè)計(jì)的，Toshiba，SONY，F(xiàn)ujitsu和 Sharp等日系廠家最喜歡這樣做。而歐美的廠家則極少有采用專用內(nèi)存的產(chǎn)品。

　　由于是為特定機(jī)器定做，這些內(nèi)存的成本較高，相應(yīng)的售價(jià)昂貴，但是不會(huì)有兼容性和質(zhì)量問(wèn)題，在選購(gòu)內(nèi)存之前，請(qǐng)注意你自己的機(jī)器是否是專用內(nèi)存。下圖就是SONY和Toishiba機(jī)器專用內(nèi)存與筆記本電腦通用SODIMM內(nèi)存的比較。

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